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发展c）不同工作偏压下的电致发光光谱。革形c）有PEAI层和无PEAI层钙钛矿LED器件的EL谱。
势分蓝色和红色箭头分别表示电子和空穴的输运方向。为了证实这些假设，电力研究者引入了一种沉积后表面处理方法来用PEAI钝化钙钛矿表面。c）在电流密度为100mAcm-2时，发展有PEAI层钙钛矿LED器件的时变EA谱。
文章发表在Adv.Funct.Mater.上，革形题目为DegradationMechanismofPerovskiteLight-EmittingDiodes:AnInSituInvestigationviaElectroabsorptionSpectroscopyandDeviceModelling。通过时间相关的电吸收光谱分析，势分清楚地表明钙钛矿LED的降解主要发生在钙钛矿层中。
f）当恒流密度为100mAcm-2时，电力EQE随时间衰减。
c）价带上能级为0.6eV的碘间隙缺陷陷阱，发展注入电流密度为100mAcm-2的钙钛矿LED器件的模拟复合速率。【小结】综上所述，革形该团队发明了一种顺序配位法，革形可将大量贵金属离子掺杂到ZIF中，合成碳载氮配位的Ir、Rh、Pt和PdSACs，与其他ZIF基的SACs相比，实现了最高的贵金属负载。
势分c）H2-airPEMFC中Ir1-N/C的极化曲线和功率密度图。电力圈出的白色斑点是PM原子。
发展而对OH*吸附弱的金属需要匹配低电负性配位阴离子。革形b）质量比功率密度曲线。
